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元器件布局要根据smt贴片加工生产设各和工艺特点进行设计。不同的工艺，如smt贴片再流焊和波峰焊，对元件的布局是不一样的：双面再流焊时，对主面和辅面的布局也有不同的要求等等。 （1）PCB上元器件的分布应尽可能均匀。 （2）同类元器件尽可能按相同的方向排列，特征方向应一致，便于贴装、焊接和检测。 元器件布局设计的工艺要求及多方位考虑 （3）大型器件的四周要留一定的维修空隙，留出SMD返修设备加热头能够进行操作的尺寸。 （4）发热元件应尽可能远离其他元器件，一般置于边角、机箱内通风位置。 （5）

工作中的高速贴片机（来源：网络） 现在，工程师做SMT贴片已经越来越方便，但是，对SMT中的各项工艺，作为工程师的你真的了解“透”了吗？本文整理了“五大SMT常见工艺缺陷”，帮你填坑，速速get吧~！ 缺陷一：“立碑”现象（即片式元器件发生“竖立”） 立碑现象发生主要原因是元件两端的湿润力不平衡，引发元件两端的力矩也不平衡，导致“立碑”。 回流焊“立碑”现象动态图（来源网络） 什么情况会导致回流焊时元件两端湿润力不平衡，导致“立碑”？ 因素A：焊盘设计与布局不合理↓ ①元件的两边焊盘之一与地线

1月18日，作为天字一号代工厂台积电举办投资者大会。即将在今年6月退休的公司董事长张忠谋称，预计台积电2018年收入将增长10-15%，驱动力来自HPC高性能计算、IoT物联网、汽车驾驶等方面。 台积电还披露了7nm工艺进展，称已经获得了50多家客户的订单，涵盖智能手机、游戏主机、处理器、AI应用、比特币矿机等等，远远甩开了死对头三星。 张忠谋宣称，台积电已经拿到了7nm 100%的市场份额，暗示三星7nm还没有一份订单。 根据此前消息，无论是高通未来新旗舰(骁龙855?)，还是苹果下一代芯片

今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV工艺？在美光看来，EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的，未来几年内都用不上，在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片，未来还有1Z、1α及1β工艺。 内存行业在未来几年都不需要EUV光刻机 内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路，生产制造过程有相似之处，不过工艺并不相同，CPU逻辑工艺今年进